長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存，單顆容量1.33Tb

4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量（單顆容量1.33Tb，約合170Gb）。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)進(jìn)行3D NAND研發(fā)。去年9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布，已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

據(jù)介紹，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品中，Xtacking 已全面升級(jí)至2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲(chǔ)單元分別采用獨(dú)立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程，同時(shí)在芯片面積沒(méi)有增加的前提下Xtacking 2.0還為3D NAND帶來(lái)更佳的擴(kuò)展性。

據(jù)了解，Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的架構(gòu)。業(yè)界還有其他兩種架構(gòu)，三星、鎧俠（東芝）和西部數(shù)據(jù)是傳統(tǒng)架構(gòu)，美光，海力士和英特爾的CuA架構(gòu)。Xtacking架構(gòu)和CuA架構(gòu)都是上下兩層架構(gòu)，區(qū)別在于CuA架構(gòu)是在同一塊晶圓上設(shè)計(jì)和制造，而Xtacking架構(gòu)是完全獨(dú)立的工藝。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售高級(jí)副總裁龔翊表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長(zhǎng)存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking 2.0時(shí)代的到來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有決心，有實(shí)力，有能力開創(chuàng)一個(gè)嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢(shì)，達(dá)到互利共贏。” 

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總部位于武漢光谷，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。

紫光集團(tuán)是一家大型綜合性集成電路企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、閃存方案、IT基礎(chǔ)設(shè)施、云服務(wù)等多個(gè)領(lǐng)域。