六氟化鎢漲價70%-90%，存儲市場繼續(xù)沖高

鎢價在過去五個月翻了一番，給這些天然氣生產(chǎn)商帶來了成本壓力。

據(jù)韓國媒體TheElec 獲悉，為應對中國限制稀土出口導致鎢價格飆升，特種氣體生產(chǎn)商已通知韓國芯片制造商，明年將提高六氟化鎢 (WF6) 氣體的價格。

消息人士稱，SK Specialty、Foosung、Kanto Denka Korea 和其他氣體生產(chǎn)商最近已通知三星、SK 海力士、DB Hitek 和 Magnachip，他們明年將把WF6 的價格提高 70% 至 90%。

他們表示，這是因為鎢價在過去五個月翻了一番，給這些天然氣生產(chǎn)商帶來了成本壓力。他們補充說，日本天然氣生產(chǎn)商以匯率不利為由，將價格提高了90%。芯片制造商知道鎢的價格上漲，因此或多或少愿意接受六氟化鎢價格的上漲。

六氟化鎢(WF6) 是芯片生產(chǎn)中化學氣相沉積 (CVD) 工藝的核心氣體，該工藝會在晶圓上沉積一層鎢層。硅晶圓頂部形成無數(shù)通道，用于傳輸電信號。這些通道被絕緣層覆蓋，并與其他金屬層連接。鎢用于覆蓋這些連接過程中產(chǎn)生的孔洞和縫隙。六氟化鎢(WF6) 在沉積機腔室內(nèi)與等離子體和氫氣發(fā)生反應，轉(zhuǎn)化為金屬鎢。鎢通常用于邏輯和 DRAM 生產(chǎn)，以及結(jié)構(gòu)復雜的 3D NAND 芯片。

開采黑鎢礦后，去除其中的雜質(zhì)，提取三氧化鎢。黑鎢礦是一種含有鎢元素的氧化鎢礦物。加工三氧化鎢后，將其轉(zhuǎn)化為仲鎢酸銨(APT)，這是一種粉末前體，可用于生產(chǎn)鎢金屬或鎢復合材料。氣體生產(chǎn)商 SK Specialty 和 Foosung 進口這些 APT，并將其與氟化物氣體反應，轉(zhuǎn)化為六氟化鎢 (WF6) 氣體。

分析師指出，存儲芯片制程對鎢氣體的依賴度高，廣泛應用于邏輯芯片（Logic）、DRAM，以及結(jié)構(gòu)復雜的3D NAND制造中，因此，WF6價格上漲對存儲芯片成本確實有顯著影響。

問題在于，全球超過80%的鎢金屬開采和加工都在中國進行。自2月份以來，中國對鎢和其他“戰(zhàn)略礦產(chǎn)”實施了出口許可證政策。這導致鎢價格飆升。據(jù)中國鎢業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，截至9月初，鎢礦石價格較年初上漲了95%，達到每噸28萬元人民幣。同期，APT價格也上漲了90%以上，達到每噸40萬元人民幣。

消息人士稱，六氟化鎢價格上漲并非暫時的沖擊，而是表明供應鏈發(fā)生了根本性變化。他們還表示，一些氣體生產(chǎn)商可能會從自身價格上漲中獲得短期收益。

據(jù)估計，全球芯片行業(yè)每年消耗約7,000至8,000噸六氟化鎢。SK Specialty的產(chǎn)能為每年2,000噸；Foosung為900噸；日本關(guān)東電化為1,400噸；中國的Peric為2,200噸。

 成本壓力下的產(chǎn)能競速：SK海力士加速HBM布局

在材料成本飆升的背景下，以HBM 為代表的高端存儲領(lǐng)域正上演產(chǎn)能擴張競速。

今年10月，SK 海力士已將首批設備投入其新晶圓廠 M15X。這比公司最初計劃的提前了兩個月——設備將于 12 月開始運入工廠。此舉可能是為了加速擴大其高帶寬內(nèi)存（HBM）的生產(chǎn)能力，HBM 是一種在人工智能應用中需求量很大的內(nèi)存芯片。

SK海力士斥資超過20萬億韓元在M15附近建設M15X。這家韓國芯片制造商預計將專注于制造 1b DRAM，用作 HBM3E 的核心芯片。消息人士稱，該晶圓廠每月可生產(chǎn)10億片DRAM晶圓，產(chǎn)能為3.5萬片。SK海力士預計將進一步擴大產(chǎn)能至每月5.5萬至6萬片晶圓。

SK海力士去年年底開始為該工廠下達設備訂單。其利川工廠的部分DRAM員工已遷至忠州工廠，負責設備安裝和工廠建設準備工作。M15X 還擁有比現(xiàn)有晶圓廠更大的潔凈室，因為制造 HBM 所需的產(chǎn)能比制造傳統(tǒng) DRAM 更大。

消息人士稱，除了M15X 之外，SK 海力士還在籌備位于美國印第安納州的龍仁工廠和先進封裝工廠。SK海力士上個月表示，已經(jīng)完成HBM4的開發(fā)并準備大規(guī)模生產(chǎn)。

 份額爭奪戰(zhàn)升級：三星以價換量應對被動局面

與 SK 海力士的產(chǎn)能擴張策略形成鮮明對比的是，三星電子正以激進的價格戰(zhàn)應對 HBM 市場的被動處境。據(jù)Digitimes報道，存儲龍頭三星電子將針對12層HBM3E推出30%的降價策略，以試圖搶占市場。

“價格戰(zhàn)”背后的邏輯是三星產(chǎn)品良率爬坡速度緩慢導致的市場份額落后。直到今年9月，三星12層HBM3E產(chǎn)品才通過英偉達測試，并正式開始供應，預計今年第四季度出貨量將達到數(shù)萬片。

三星HBM3E出貨時間仍然明顯落后于SK海力士、美光等存儲廠商。公開資料顯示，早在2024年，SK海力士便已通過良率測試，并確定向英偉達供應HBM3E產(chǎn)品，今年上半年更是實現(xiàn)了16層HBM3E的量產(chǎn)供貨；另有消息稱，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且預計出貨量超過8層HBM3E。

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