AI存儲需求激發HDD替代效應，NAND Flash轉向大容量Nearline SSD

NAND Flash通過3D堆棧技術的演進，產能提升速度遠快于HDD。

根據TrendForce集邦咨詢最新調查，AI推理(AI Inference)應用快速推升實時存取、高速處理海量數據的需求，促使機械硬盤(HDD)與固態硬盤(SSD)供應商積極擴大供給大容量存儲產品。

在傳統數據中心儲存分層架構中，HDD憑借每單位儲存容量(GB)的極低成本優勢，穩居冷數據(Cold Data)主流儲存方案。冷數據包含備份檔案、歷史記錄等不常被存取，但需要長期歸檔保存的數據。隨著Inference AI（AI推理）應用擴張，冷數據儲存需求也急速攀升。

SSD則以其高速的讀寫性能，主要負責需頻繁存取的熱數據(Hot Data)和溫數據(Warm Data)。若比較QLC SSD和Nearline HDD，前者不僅效能較佳，而且可節省約30%的耗電量。

由于HDD市場正面臨巨大供應缺口，激勵NAND Flash廠商加速技術轉進，投入122TB、甚至245TB等超大容量Nearline（近線） SSD的生產，原先對未來需求不確定的狀況獲得緩解。

北美CSP早已規劃于溫數據應用擴大采用SSD，但因為這波HDD缺口嚴峻，CSP甚至開始考慮于冷數據采用SSD，然而，要邁向大規模部署須先解決成本和供應鏈的雙重挑戰。

TrendForce集邦咨詢指出，若CSP要導入QLC SSD于冷數據儲存，需考量數據管理算法的修正、軟件堆棧的適配，以及對整體擁有成本(TCO)的精算，有必要堅守價格底線以達到成本平衡。對SSD供應商而言，盡管這波轉單需求是改善獲利結構的絕佳機會，但因高容量產品的產能有限，供應商不會愿意大幅降價。因此，預期買賣雙方將有一場價格博弈，帶動2025年第四季整體Enterprise SSD合約價季增5-10%。

TrendForce集邦咨詢表示，HDD產業正值技術換代的陣痛期，投資新一代熱輔助磁記錄(HAMR)技術產線初期的高昂成本，不僅造成產能擴張瓶頸，也迫使供應商將費用轉嫁給客戶，導致每GB的平均售價(ASP Per GB)從過往的0.012-0.013美元，提高至0.015-0.016美元，削弱了HDD最核心的成本優勢。

相比之下，NAND Flash通過3D堆棧技術的演進，產能提升速度遠快于HDD。此外，隨著堆棧層數從上百層邁向200層以上或更高，晶圓的儲存位元密度不斷提升。預期2026年2Tb QLC芯片的產出將逐步放量，成為降低Nearline SSD成本的主力。

近期以來，多國芯片巨頭上調產品報價。據央視財經報道，過去半年，全球存儲芯片價格持續上漲。特別是最近一個月，漲價消息越發密集。

9月下旬，三星電子發出第四季度提價通知，計劃將部分DRAM價格上調15%至30%，NAND閃存價格上調5%至10%。

NAND閃存控制芯片大廠群聯日前恢復報價，價格漲幅約10%。

9月16日，西部數據通知客戶將逐步提高所有HDD（機械硬盤）產品的價格。

9月上旬，閃迪宣布將面向所有渠道和消費者客戶的NAND產品價格上調10%以上。

涉及漲價的存儲芯片種類大致涵蓋DRAM與NAND兩種類型：前者是一種易失性半導體儲器，讀取速度相對快但斷電后數據瞬間消失，無法長期保存，近期受市場追捧的HBM也屬于這一類型；后者屬于非易失性存儲，斷電后數據仍能穩定留存，往往負責存放海量數據和模型參數，SSD、HDD等屬于此列。

根據摩根士丹利的最新研報預測，人工智能熱潮下，存儲芯片行業預計迎來一個“超級周期”。

摩根士丹利預計，今年第四季度，動態隨機存取存儲器DRAM的價格將環比上漲約9%。由此摩根士丹利還將韓國半導體行業的評級上調至了“具有吸引力”，并將SK海力士的評級從“保持”上調至了“增持”。

而在最受市場追捧的高帶寬存儲器HBM領域，現在每一塊HBM芯片都需針對特定的AI GPU定制，客戶需要提前一年下單，合同通常為一年期。這與傳統DRAM芯片形成了鮮明對比，后者可以隨時采購，甚至當天交付，并且容易更換供應商。新的訂貨模式不僅提升了供應穩定性，也顯著增強了存儲廠商的議價能力。花旗分析指出，HBM的毛利率約在50%到60%，而傳統的DRAM僅為30%左右。

多數分析認為，未來五年HBM將繼續主導存儲芯片市場。不過也有分析人士提醒，存儲芯片本質上依然是一個強周期行業，價格高度依賴供需變化，未來還需警惕潛在的技術替代和需求波動。

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