存儲新突破，UltraRAM量產有戲

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

UltraRAM 融合了閃存和 RAM 的最佳元素。

近日，長期處于研發階段的UltraRAM內存技術傳來商業化推進的重要消息：先進晶圓產品供應商IQE plc已完成一項為期一年的專項項目，成功開發出適配該技術的可擴展外延工藝。IQE首席執行官Jutta Meier明確表示，這一成果標志著UltraRAM向工業化生產邁出了里程碑式的一步，為這項被業內寄予厚望的內存技術落地應用奠定了關鍵基礎。

回溯UltraRAM的技術發展歷程，其首次進入公眾視野是在三年前的TechSpot平臺。當時披露的信息顯示，該技術的核心研發方向是融合RAM與NAND兩種主流存儲介質的優勢，并規避二者短板——既追求與非易失性DRAM相近的讀寫速度，又致力于實現更出色的耐用性與能效表現。據彼時公布的原型機測試數據，UltraRAM的數據保留時間可達到1000年，編程/擦除（P/E）周期更是突破1000萬次，這一耐用性指標較當前市場主流的閃存產品提升約100倍。憑借“高速、非易失、高耐用”的綜合特性，UltraRAM被部分行業人士稱為“通用內存”，其技術潛力引發廣泛關注。

事實上，嘗試將RAM與閃存的優勢整合到單一產品中，并非UltraRAM的首創。近年來，全球存儲領域的頭部企業均曾在這一方向展開探索，但市場反響與預期存在差距。其中，英特爾此前推出的Optane平臺最為業內熟知，該平臺基于3D XPoint技術，主打高性能與非易失性存儲特性，初期在數據中心、高端消費電子等領域有一定應用。然而，受制造成本偏高、與現有硬件生態兼容性不足等因素影響，Optane平臺的市場滲透率始終未能實現突破，英特爾最終于2022年宣布終止該業務線，成為通用內存技術探索過程中的一次重要調整。

在英特爾退出后，三星試圖通過技術更新填補市場空白，于近年升級了其Z-NAND產品系列。據了解，三星Z-NAND采用獨特的3D堆疊架構，在讀寫速度與耐用性上較傳統TLC、QLC NAND閃存有明顯提升，主要面向數據中心對高性能存儲的需求場景。不過，從實際市場反饋來看，Z-NAND的成本仍顯著高于主流NAND產品，難以滿足大規模普及的需求，未能真正實現“通用內存”的市場定位。

除上述兩家企業外，Kioxia（原東芝存儲）與西部數據的合作也在該領域留下重要足跡。早在2020年，雙方便聯合研發推出XL-FLASH技術，直接對標英特爾Optane，聚焦高性能非易失性存儲市場。今年5月的Computex展會上，基于XL-FLASH技術的定制化PCIe 5.0 SSD正式亮相，現場公布的性能數據較為突出：隨機讀取IOPS（每秒輸入輸出操作）達到350萬，遠超傳統高端NVMe SSD水平。同期，InnoGrit基于該技術開發的N3X SSD，還實現了14 GB/s的持續順序讀取速度、12 GB/s的持續順序寫入速度，隨機寫入IOPS達70萬，讀取延遲僅13微秒，延遲表現已接近部分DRAM產品。不過，行業分析指出，XL-FLASH本質上仍屬于NAND閃存的技術優化升級，并未脫離NAND架構的固有局限，與UltraRAM所追求的“通用內存”技術路徑存在差異。

回到UltraRAM的商業化進展，當前其制造商Quinas正積極與全球代工廠及戰略合作伙伴對接，推進試生產相關工作。不過，行業普遍認為，技術突破僅為第一步，UltraRAM要實現市場落地仍需跨越多重挑戰。首先是量產穩定性，實驗室階段的技術參數需在大規模生產中保持一致，尤其是IQE此次開發的外延工藝，其良率控制將直接影響產品成本與產能釋放節奏；其次是成本控制問題，若量產成本無法與現有DRAM、NAND產品形成競爭優勢，將難以打開市場空間；最后是生態適配，UltraRAM需兼容當前主流的芯片組、操作系統及軟件平臺，才能順利進入消費級、企業級等不同應用場景。

從市場需求層面來看，UltraRAM若能成功量產，潛在應用場景較為廣泛。在數據中心領域，其可實現高性能緩存與長期存儲的一體化，減少數據在DRAM與NAND之間的遷移損耗，提升數據處理效率；在消費電子領域，可為智能手機、筆記本電腦等設備帶來更快的開機與應用加載速度，同時延長存儲部件使用壽命；在工業控制、汽車電子等領域，其高耐用性與長數據保留時間，也能滿足極端環境下的穩定存儲需求。

盡管目前尚無法確定UltraRAM技術最終能否成功落地，但業內人士表示，這一商業化進展傳遞出積極信號——行業對“通用內存”的探索并未因此前的挫折而停滯。隨著全球數據量持續增長、各類計算場景對存儲性能要求不斷提升，市場對高性能、非易失性存儲技術的需求將長期存在，這為UltraRAM等創新技術提供了發展空間。未來，若Quinas能順利完成試生產并解決成本、適配等關鍵問題，UltraRAM有望為存儲行業帶來新的技術選擇，推動通用內存技術探索進入新階段。

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