LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，正式發(fā)布

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

新版JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布 JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6（LPDDR6）標(biāo)準(zhǔn)。JESD209-6 旨在顯著提升多種應(yīng)用場(chǎng)景（包括移動(dòng)設(shè)備和人工智能）的內(nèi)存速度與效率。JEDEC 稱(chēng)，新版 JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

為支持人工智能應(yīng)用及其他高性能工作負(fù)載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，在保持 32 字節(jié)小訪(fǎng)問(wèn)粒度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)靈活操作。此外，LPDDR6 的主要特性還包括：

每顆芯片含2 個(gè)子通道，每個(gè)子通道有 12 條數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)（DQs），以?xún)?yōu)化通道性能。

每個(gè)子通道包含4 條命令 / 地址（CA）信號(hào)，經(jīng)優(yōu)化減少焊球數(shù)量并提高數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)速度。

靜態(tài)效率模式，旨在支持大容量?jī)?nèi)存配置并最大化存儲(chǔ)體資源利用率。

靈活的數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)，支持實(shí)時(shí)突發(fā)長(zhǎng)度控制，可實(shí)現(xiàn)32B 和 64B 訪(fǎng)問(wèn)。

動(dòng)態(tài)寫(xiě)入NT-ODT（非目標(biāo)片上終端），使內(nèi)存能根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整 ODT，提升信號(hào)完整性。

能效

為滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的能效需求，與LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強(qiáng)制要求 VDD2 采用雙電源設(shè)計(jì)。其他節(jié)能特性包括：

采用交替時(shí)鐘命令輸入，提升性能與效率。

低功耗動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFSL），在低頻運(yùn)行時(shí)降低 VDD2 電壓，減少功耗。

動(dòng)態(tài)效率模式，在低功耗、低帶寬場(chǎng)景下采用單子通道接口。

支持部分自刷新和主動(dòng)刷新，降低刷新功耗。

安全性與可靠性

相較于上一版本標(biāo)準(zhǔn)，安全性和可靠性方面的改進(jìn)包括：

每行激活計(jì)數(shù)（PRAC），支持 DRAM 數(shù)據(jù)完整性。

定義隔離元模式，通過(guò)為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域，提升整體系統(tǒng)可靠性。

支持可編程鏈路保護(hù)方案和片上糾錯(cuò)碼（ECC）。

能夠支持命令/ 地址（CA）奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測(cè)試（MBIST），增強(qiáng)錯(cuò)誤檢測(cè)能力和系統(tǒng)可靠性。

日前，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)副董事長(zhǎng)全永鉉宣布，三星將于今年下半年通過(guò)第六代“1c DRAM”工藝量產(chǎn)下一代LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。

據(jù)悉，1c DRAM是DRAM制造的第六代工藝節(jié)點(diǎn)，相比前代技術(shù)，其晶體管密度更高、能效比更優(yōu)。三星通過(guò)“設(shè)計(jì)變更”戰(zhàn)略，將1c DRAM的冷態(tài)良率提升至50%，熱態(tài)良率達(dá)60%-70%，并計(jì)劃在韓國(guó)華城工廠(chǎng)建設(shè)新生產(chǎn)線(xiàn)，擴(kuò)大產(chǎn)能。LPDDR6內(nèi)存基于1c工藝開(kāi)發(fā)，帶寬和功耗表現(xiàn)顯著提升，可滿(mǎn)足AI模型訓(xùn)練、移動(dòng)終端算力升級(jí)等場(chǎng)景對(duì)內(nèi)存性能的嚴(yán)苛需求。

據(jù)行業(yè)消息，高通下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發(fā)支持LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃于今年9月23日的驍龍峰會(huì)上亮相。

隨著AI應(yīng)用向終端設(shè)備下沉，LPDDR6內(nèi)存的帶寬與能效成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)力。三星計(jì)劃通過(guò)向高通等廠(chǎng)商供貨，進(jìn)一步滲透智能手機(jī)、筆記本電腦及AI服務(wù)器市場(chǎng)，強(qiáng)化其技術(shù)壁壘。此外，三星還在HBM4等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品中部署1c DRAM技術(shù)，構(gòu)建覆蓋AI全場(chǎng)景的內(nèi)存解決方案。

目前，三星已制定1c DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)最早于今年年底完成韓國(guó)華城工廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)。此外，該公司正同步開(kāi)發(fā)DDR與LPDDR用1c DRAM，打破傳統(tǒng)開(kāi)發(fā)順序，加速商業(yè)化進(jìn)程。

LPDDR6 將取代現(xiàn)有的 LPDDR5 內(nèi)存及其衍生版本，而 LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn)早在 2019 年就已經(jīng)發(fā)布。距離 LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn)問(wèn)世已有將近五年時(shí)間，在這段時(shí)間里，三星和美光推出了 LPDDR5x，SK 海力士也推出了 LPDDR5T，其傳輸速率高達(dá) 9.6 Gbps。這些低功耗的 DRAM 內(nèi)存非常適合智能手機(jī)、輕薄型設(shè)備甚至筆記本電腦 / 迷你臺(tái)式機(jī)等強(qiáng)調(diào)低功耗的設(shè)備。

采用LPDDR5 (X / T) 規(guī)格的內(nèi)存模組正越來(lái)越多地出現(xiàn)在各種產(chǎn)品中。例如，LPCAMM2 模組憑借其小巧的模塊化外形尺寸、更大的容量和更高的可升級(jí)性，將徹底改變 PC 內(nèi)存市場(chǎng)。

此外，最近上市的LPCAMM2 模組采用了 LPDDR5 (X / T) 的變種，由于其小巧的模塊化外形尺寸，能夠提供更大的容量和可升級(jí)性，將改變 PC 市場(chǎng)格局。

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