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      新興存儲器普及,或取代NOR Flash

      2025-05-27 11:41
      來源:澎湃新聞·澎湃號·湃客
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      本文由半導體產業縱橫(ID:ICVIEWS)綜合

      磁阻隨機存取存儲器(MRAM) 和電阻隨機存取存儲器 (ReRAM) 等新興存儲器不僅有望用于太空和國防等專業應用,而且還有望用于汽車應用。

      (MRAM磁阻隨機存取存儲器) 制造商 Everspin Technologies 最近宣布推出符合汽車可靠性標準 AEC-Q100 的新型 MRAM 產品。同時,Weebit Nano宣布其電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)模塊已完成AEC-Q100標準150°C運行評估。

      AEC-Q100是由汽車電子委員會(AEC)制定的標準,定義了汽車電子產品的通用元器件資格認證和質量體系標準,其中包括一套針對集成電路的資格認證測試序列。

      Everspin 最新的高可靠性分立 MRAM 產品是該公司產品系列“PERSYST EMxxLX”的擴展,包括“EM064LX HR”和“EM128LX HR”。該設備的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C,非常適合汽車應用,同時也滿足了航空航天/國防和惡劣工業環境中對持久高速內存日益增長的需求。

      NVIDIA 高級營銷總監 Joe O'Hare 在接受 EE Times 采訪時表示:“MRAM 的需求主要來自汽車應用,汽車應用需要能夠承受極端溫度的高可靠性內存組件;而低地球軌道衛星 (LEO) 的快速發展也需要能夠承受惡劣操作環境(包括耐輻射)的內存。”

      O'Hare 表示:“Everspin 的 PERSYST MRAM 憑借其卓越的耐用性和可靠性,在關鍵存儲應用中擁有 20 年的良好使用記錄。它是同溫度范圍內速度最快的 MRAM,其 64Mb/128Mb 的容量使其成為關鍵任務系統的理想選擇。我們生產符合 AEC-Q100 標準的內存已有近 15 年,此次新增的 PERSYST MRAM 可提供我們所有產品中最高的密度。”

      瞄準汽車領域作為NOR Flash的替代品

      O'Hare還解釋說:“目前MRAM最有可能取代的存儲器是NOR閃存,而NOR閃存目前面臨著擴展和密度方面的限制。MRAM的高寫入速度降低了實時應用的系統開銷,而且其架構更簡單。”

      “雖然 AEC-Q100 是一項汽車標準,但 Everspin 專注于太空探索應用,正是我們在這個領域的客戶推動了我們最新 PERSYST MRAM 產品的規格。坦率地說,我們在太空領域的參與度比在汽車領域的更高。”O'Hare 說道。 “市場已經過了頂峰,從產量的角度來看,現在已經足夠大,具有商業可行性。此外,還有其他航空航天和軍事應用,”他補充道。

      同時,Weebit Nano 瞄準汽車領域,推出嵌入式 ReRAM 作為 NOR Flash 的替代品。該公司最近對采用半導體制造商 SkyWater Technology 的 130nm CMOS 工藝的 ReRAM 模塊完成了 AEC-Q100 150°C 運行評估。

      Weebit Nano 營銷和業務開發副總裁 Eran Briman 在接受 EE Times 采訪時表示:“JEDEC 針對不同溫度/耐久性水平的非易失性存儲器制定了一套標準,但對于汽車而言,AEC-Q100 是黃金標準。” “Weebit Nano 為我們的 ReRAM 產品開發了‘任務配置文件’,可滿足所有汽車環境的需求。”

      布里曼表示:“獲得 AEC-Q100 認證的原因是,汽車制造商所需的工藝節點在 28 納米至 16 納米范圍內的進展速度比物聯網和其他連接設備快得多。”汽車微控制器的普及正在加速。28nm 以后,閃存將無可替代。

      “雖然嵌入式非易失性存儲器可以滿足許多市場的需求,但汽車工藝節點的要求目前已經非常明確,”Briman 補充道。 “符合汽車要求意味著非易失性存儲器也能滿足消費者、工業和物聯網應用的需求。”

      “汽車 ReRAM 的機遇在于軟件定義的汽車,這些汽車需要定期進行無線 (OTA) 更新——就像擁有強大處理能力的‘車輪上的電腦’。這些定期更新需要具有更高耐用性的非易失性存儲器,”Briman 說道。

      MRAM 供應商很少

      Objective Analysis 首席分析師 Jim Handy 在接受 EE Times 采訪時表示:“可靠性對我們的汽車存儲器客戶來說非常重要。” “但這引出了一個問題:對他們來說,可靠性比低價更重要嗎?”

      Handy 表示:“在許多情況下,從價格角度來看,NAND 閃存仍然是最佳選擇,但如果 MRAM 可以從多個來源獲得,則可以成為 NOR 閃存的替代品。” “在這種情況下,MRAM 進入市場的挑戰在于,目前 MRAM 的來源非常少。”

      對于空間應用,不僅 MRAM 的可靠性很重要,而且其抗輻射性也很重要。另一方面,ReRAM 具有更高的可靠性,并且能夠更好地承受極端溫度。

      Handy 強調說:“汽車內存的機會來自汽車上安裝的微控制器的絕對數量。” “讓這些微控制器不易受到溫度的影響將是一個巨大的挑戰。”

      Handy 表示,新興存儲器面臨的挑戰是成本。盡管從技術上講它優于現有的內存,但現有產品的價格更便宜。 “任何新興存儲技術面臨的最大挑戰是其成本是否至少能與競爭技術匹敵。”

      *聲明:本文系原作者創作。文章內容系其個人觀點,我方轉載僅為分享與討論,不代表我方贊成或認同,如有異議,請聯系后臺。

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